RF머트리얼즈&RFHIC& RF시스템즈 주가전망

 

 

 

 

 

 

 

 

 

우리가 먼저 주목해야할건 3가지다.

 

 

 

 

방산 관련 이슈

GaN 이슈

RF시스템즈 상장 이슈 

통신 관련 이슈

RF시스템즈 

 

 

 

합병 승인을 위한 주주총회 예정일자는 9월10일이며
예정 합병기일은 10월14일이다.
신주는 11월1일 상장될 예정이다.

 

알에프시스템즈는 방산 제품등 기타 금속 가공제품 제조업을 영위하고 있다.

 

지난해 총 자산이 485억
총 자본금액 267억.
327억의 매출과 17억 영업이익을 달성

 

RF시스템즈는 레이더 시스템 안테나 시스템 환경제어 시스템 원자현미경 RF에너지 2차전지 반도체장비에 사용하는 생성장비등 분야도 다양하다.

여전히 전쟁이슈가 진행중이다.
계속해서 방산 관련주들도 들썩 거리고 있다.

 

생각보다 굉장히 순조롭고 빠르게 진행되고 있다.

RF시스템즈를 품고있는 RF머트리얼즈를 품고있는 RFHIC

 

 

 

RFHIC 경영본부 자금팀 IR 담당 박병구 팀장


 "현재 RF머트리얼즈 측 영업 담당자들이 잠재 고객군과 미팅을 이어가고 있는 단계"라며 "양산 중인 제품을 다른 용도로 파는 것이기 때문에 고객사만 확보되면 금방 공급이 이뤄질 수 있다"고 말했습니다.

현재 회사 측이 상정한 주 고객군은 데이터센터 장비 공급사라고 하네요. 수주 결과에 따라 RF머트리얼즈 역시 데이터센터 공급망 기업으로 재평가될 전망입니다.

 

 

 

 

 

GaN 투자개발 

 

 

RFHIC 도 스위겐에 전력적 지분 투자를 결정했고
GaN반도체 사업을 확대하기로 했다.

스위겐은 RF및 전력반도체 최고 성능을 가진 6인치 질화갈륨 에피웨이퍼를 개발하고 제조하는 기업이다.

SK키파운드리도 GaN 개발에 박차를 가하고 있고 연내 완료가 목표다.

 

 

 

 

5G 이동 통신 자동차 분야중심 



차세대 전력반도체로 꼽히는 질화갈륨(GaN) 전력반도체가 스마트폰 고속충전기·5G 이동통신(5세대)·자동차 분야를 중심으로 연평균 70%대 성장을 기록할 것이라는 전망이 있었다.

GaN은 SiC보다 밴드갭이 넓고 전자 이동도가 더 높습니다. 
실리콘과 비교하면, GaN은 파괴 전계 강도가 10배 높고 전자 이동도는 두 배입니다. 

이를 통해 Si 수퍼정션 트랜지스터보다 출력 전하와 게이트 전하가 10배 낮고, 역 복구 전하는 거의 0인 전력 반도체를 만들 수 있습니다. 

게이트 전하가 SiC 디바이스와 비교해 10배 낮아 GaN은 고주파 동작에 선호됩니다.

GaN은 거의 손실 없이 스위칭할 수 있어 스위칭 손실을 줄이고, 낮은 온 저항(RDS(on)) 부품을 사용해 디바이스 내 정적 손실과 열 발생을 감소시킵니다. 이는 최대 10MHz의 높은 스위칭 주파수로 동작하는 전력 시스템에 특히 중요합니다




RF머트리얼즈와 RFHIC는 지금 완전 저점이라고 생각한다.

 

RFHIC 1차 목표가 17000원 / 2차 목표가 23000원 / 3차 목표가 32000 

RF머트리얼즈 1차 목표가 10500원 / 2차 목표가 11900 / 3차 목표가 19000